近日，国家重点研发计划“高分辨耐电离辐射硅探测器的研发与产业化应用于”项目月启动。科学仪器设备是科学研究和技术创新的基石，是经济社会发展和国防安全性的最重要确保。为贯彻提高我国科学仪器设备的自主创新能力和装备水平，增进产业升级发展，承托创意驱动发展战略的实行，我国启动了国家重点研发计划。
射线观测技术作为现代科技关键核心技术，在公共安全检查设备、国防建设、核能开发利用等领域有广泛应用空间，目前我国硅电磁辐射探测器市场上的产品绝大部分被国外独占，迫切需要在关键领域展开重点突破。耐高压硅探测器作为国防类似电磁辐射测量设备的核心部件，可拓宽脉冲电磁辐射测量的动态范围，对中子、伽马射线等具备较好分辨力，在核辐射监测、高能粒子观测、X射线散射仪、安全检查等应用于普遍。
为此，四川艺精科技集团联合申报，中国工程物理研究院材料研究所、中国工程物理研究院电子工程研究所和江苏尚飞光电科技股份有限公司联合参予了高分辨耐电离辐射硅探测器项目的研制，在2018年月通过了科技部的立项，中央财政经费为428万元，实行周期为3年。高分辨耐电离辐射硅探测器项目将通过以表面腐蚀和离子注入等关键技术突破为重点，取得具备自律知识产权的高性能硅电磁辐射观测关键技术，从基础研究、工艺掌控、器件研制、产品研发、产业化等各阶段提高核心竞争力，造就涉及产业发展，主要任务还包括研制高压耐电离辐射硅探测器、面向公共安全检查应用于的高性能X射线探测器、大面积X射线硅探测器等。
项目的考核指标主要有观测面积≥5cm×5cm；方位分辨率≤100μm；溢电流密度≤2nA/cm2@消耗电压;探测器工作电压≥600V；外用电离辐射指标≥1×1015nep/cm2。产品已完成时应通过可靠性测试，平均值故障间隔时间≥5000小时;技术准备就绪度超过9级。具体发明专利、标准和软件著作权等知识产权数量；构成批量生产能力，具体项目竣工验收时销售数量和销售额。
该项目的实行将更进一步提高涉及领域的核心竞争力，超越国际对我国的技术封锁，增大与国际先进设备技术的差距，造就涉及产业发展，以自律科技创新构建我国自己掌控涉及产业发展和国家安全性的命脉。下一步，团队将重点研究硅表面钝化工艺，通过掌控硅表面水解膜的厚度和质量来提升器件工作性能及电离辐射性能。
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